集成光电子芯片怎样分类？
集成光电子芯片根据生产工艺和材料，主要分为氮化硅，硅基和铟磷基集成光电芯片。其中硅基光电芯片生产平台可与CMOS生产平台兼容，但无法将有源器件单片集成到芯片中；氮化硅光电芯片具有较低损耗，但也无法单片集成有源器件，且成本较高；而铟磷集成光电芯片使用直接带隙材料，可单片集成有源无源器件，具有较快电光调制效应。
什么是InP铟磷集成光电子芯片？
将有源（例如激光器，光放大器，相位调制器，光探测器等）与无源元件（例如波导, AWG, MMI, MZI等）通过半导体工艺集成到微小芯片中，该技术是目前唯一可真正单片集成激光器的技术。
InP铟磷集成光电子芯片中可包括哪些基本元件？
例如波导(waveguide)，耦合器(coupler)，滤波器(filter)，激光器(laser)，相位调制器(phase modulator)， 多模干涉器(MMI)，开关(switch)，光探测器(photodiode)，光放大器(optical amplifier)，反射器(reflector)，阵列波导光栅(arrayed waveguide grating)，光栅(Grating)，法布里珀罗激光器(Fabry-Perot laser)等。
InP铟磷集成光电子芯片可以应用在哪些领域？
- 例如光通讯中的光模块，数据中心的光交换，光纤传感光探测或光源，激光雷达中的光学相控阵和光源，气体传感芯片，集成微波光子芯片，空间通信系统的部分模块，量子科技中QKD和QRNG，环式激光陀螺仪，光纤陀螺仪，光学相干断层成像(OCT)中探测器等。更多应用案例…
InP铟磷集成光电子芯片可实现哪些器件功能？
- 例如马赫-增德尔干涉仪(MZI)，微环谐振器(MRR)，基于阵列波导光栅(AWG)和光放大器(SOA)波长路由开关，脉冲激光或频率调制激光器，光学相控阵(OPA)，多模干涉光耦合器(MMI-coupler)，多模干涉滤波器(MMI-filter)，延时线(delay line)，FP激光器(Fabry-Perot laser)，分布布拉格反射激光器(tunable DBR laser)，多波长激光器(multi-wavelength laser)，皮秒脉冲激光器(picosecond pulse laser)，环形激光器(ring laser)，波分复用光交叉连接器(WDM cross connect)，光分插复用(WDM add-drop)等。更多应用案例…
InP铟磷集成光电子芯片有什么优点？
- 相比传统器件，InP光电子芯片体积小，重量轻，能量效率高、稳定性高，可适用大规模生产，设计者可具有较大设计灵活性和创造性。
- 相比硅基光电子芯片，InP光子芯片可真正实现单片集成有源器件如激光器，可极大丰富该芯片应用领域。